>> Trung tâm Vật lý tính toán

Hoạt động


2022 | 2021 | 2020 | 2019 | 2018 | 2017 | 2016 | 2015 | 2014 | 2013 | 2012 | >

Seminar Vật lý lý thuyết và Vật lý tính toán:
Tên báo cáoẢnh hưởng của thế thăng giáng Coulomb lên truyền dẫn trục c trong vật liệu cuprate
Người trình bàyTS. Phạm Tuấn Minh
Cơ quanTrung tâm Vật lý lý thuyết, IOP, VAST
NgàyThứ Ba, 08-04-2014
Giờ10:00 AM
Địa điểmPhòng họp tầng 1, Viện Vật lý, 10 Đào Tấn, Ba Đình, Hà Nội
Tóm tắtThe subject is studying the resistivity along c-axis direction in cuprates, layered high-temperature superconducting materials as a function of temperature. A point-to-point tunneling model is built to describe the tunneling between two CuO2 planes including the in-plane Coulomb interaction. The c-axis resistivity is calculated in both gapless and gap cases as a function of the temperature and the strength of the Coulomb fluctuation. The dimensionless parameter α characterizing the strength of the Coulomb fluctuation is calculated theoretically in the random-phase approximation (RPA) and in the Landau-Fermi liquid theory. It turns out the theoretical form of the c-axis resistivity fits quite well with experimental data in both the metallic (gapless) region and the metal-insulator crossover (pseudogap) region of the c-axis resistivity. The parameter α in the fitting is also compared with the solution in the RPA calculation.